中硅高科兩項半導(dǎo)體材料科技成果獲評國際領(lǐng)先

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作者：發(fā)布時間：2026年05月21日瀏覽次數(shù)：

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　　近日，中硅高科牽頭完成的兩項半導(dǎo)體材料技術(shù)通過院士專家組評審，整體達到國際領(lǐng)先水平。

　　其中，“寬禁帶半導(dǎo)體用超高純碳化硅材料制備關(guān)鍵技術(shù)”首創(chuàng)氣相法工藝，建成國內(nèi)首條年產(chǎn)300噸生產(chǎn)線，整體達到國際領(lǐng)先水平。“集成電路用電子級六氯乙硅烷制備關(guān)鍵技術(shù)”整體達到國際先進水平，顆粒度控制達到國際領(lǐng)先水平。這標志著我國第三代半導(dǎo)體及高純電子特氣領(lǐng)域國產(chǎn)化實現(xiàn)重大突破。

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